國家中山科學研究院「化合物半導體中心」,經過兩年半籌建,投入台幣逾8億的經費,於23日上午由院長張忠誠先生主持落成啟用儀式,活動在該院各副院長及與會貴賓見證下啟用剪綵,過程圓滿順利。
「化合物半導體中心」占地200餘坪,設置10級、100級無塵室,並添購多項重要先進設備,主要進行微波元件及紅外線感測元件的研發及產製,除可滿足該院各計畫的需求外,亦可做為產學研界化合物半導體研發合作的平台,促進整體產業的升級,成為國內重要的化合物半導體研發基地。
傳統矽半導體因自身發展侷限,亟需尋找下一世代半導體材料,而化合物半導體材料的高電子遷移率等特性,符合未來半導體發展所需,其終端產品除了軍事用途外,並可透由5G通訊、車用電子與光通訊領域的應用所主導,以及化合物半導體技術的開發,應用於LED、功率電子、無線通訊、紅外線、太陽能與光通訊等領域,造就了上千億的產值,為台灣帶來巨大的貢獻。
該院在化合物半導體技術已發展多年,在國內算是早期投入的單位,「化合物半導體中心」成立的目的乃是建置高潔淨無塵室與先進的設備,以滿足未來先進製程之需求。在微波功率元件領域,建立該院一條龍式的高效率研發生產能量,加速高頻微波元件之開發期程;另外在紅外線熱像元件方面,則進行產品垂直整合並提昇製程良率,以提升我國先進紅外線熱像關鍵零組件之性能與產量。